首页 > 商品目录 > > > > RS6P060BHTB1代替型号比较

RS6P060BHTB1  与  IRF7490  区别

型号 RS6P060BHTB1 IRF7490
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-IRF7490
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 39mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 73W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150℃ -
连续漏极电流Id 60A 4.3A
QG - 37.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.37
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
100 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_5.9mm PG-TDSON-8-7

暂无价格 5,000 对比
IRF7473 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7490 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7495 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7853 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售