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RS6P060BHTB1  与  BSC098N10NS5  区别

型号 RS6P060BHTB1 BSC098N10NS5
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-BSC098N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 9.8mΩ@30A,10V
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 69W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
典型关闭延迟时间 - 17ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) PG-TDSON-8-7
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 60A
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 95 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 当前型号
IRF7853 Infineon  数据手册 功率MOSFET

18mΩ 100V SO-8 N-Channel 20V 6.6A

暂无价格 0 对比
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
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BSC098N10NS5ATMA1_100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7

暂无价格 0 对比
IRF7473 Infineon  数据手册 功率MOSFET

26mΩ 100V SO-8 N-Channel 20V 5.7A

暂无价格 0 对比
IRF7490 Infineon  数据手册 功率MOSFET

39mΩ 100V SO-8 N-Channel 20V 4.3A

暂无价格 0 对比

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