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RS6P060BHTB1  与  BSC098N10NS5  区别

型号 RS6P060BHTB1 BSC098N10NS5
唯样编号 A-RS6P060BHTB1 A-BSC098N10NS5
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.6mΩ@60A,10V 9.8mΩ@30A,10V
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 73W 69W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 28S
典型关闭延迟时间 - 17ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) PG-TDSON-8-7
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 60A
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 95 5,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥13.2013
100+ :  ¥6.6007
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 当前型号
BSC098N10NS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC098N10NS5ATMA1_100V 60A 9.8mΩ@30A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-7

暂无价格 5,000 对比
SI7456DDP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 5W(Ta),35.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 27.8A 23mΩ 2.8V

¥6.0192 

阶梯数 价格
9: ¥6.0192
100: ¥5.016
750: ¥4.6398
1,500: ¥4.4308
3,000: ¥4.2532
23,887 对比
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.673 

阶梯数 价格
20: ¥2.673
100: ¥2.046
1,250: ¥1.793
2,500: ¥1.705
6,727 对比
FDS3672 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 7.5A 8-SOIC

¥5.445 

阶梯数 价格
10: ¥5.445
100: ¥4.532
1,250: ¥4.125
2,428 对比
SI4056ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.9A(Ta),8.3A(Tc) N-Channel 29.2 mOhms @ 5.9A,10V 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V

¥2.937 

阶梯数 价格
20: ¥2.937
100: ¥2.255
549 对比

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