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RS6N120BHTB1  与  IRF7854  区别

型号 RS6N120BHTB1 IRF7854
唯样编号 A-RS6N120BHTB1 A-IRF7854
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 13.4mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 80V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.7nC
封装/外壳 HSOP8 SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id ±135A 7.9A
QG - 27.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.49
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 0 当前型号
IRF7493 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7854 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥9.185 

阶梯数 价格
6: ¥9.185
100: ¥7.975
750: ¥7.26
1,500: ¥6.985
3,000: ¥6.71
8,313 对比
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.785 

阶梯数 价格
20: ¥4.785
100: ¥3.993
100 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比

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