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RS6L120BGTB1  与  BSC028N06NSSC  区别

型号 RS6L120BGTB1 BSC028N06NSSC
唯样编号 A-RS6L120BGTB1 A-BSC028N06NSSC
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) -
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 97 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥17.6628
100+ :  ¥8.8314
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥17.6628 

阶梯数 价格
1: ¥17.6628
100: ¥8.8314
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阶梯数 价格
20: ¥3.025
100: ¥2.321
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1,500: ¥1.903
1,828 对比
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