RS6L090BGTB1 与 SIR4608DP-T1-GE3 区别
| 型号 | RS6L090BGTB1 | SIR4608DP-T1-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS6L090BGTB1 | A-SIR4608DP-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | SOT669 | ||||
| 功率耗散Pd | 73W | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 90A | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 4.7mΩ@90A,10V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 99 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥12.884
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99 | 当前型号 | ||||||||||
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NTMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥2.82
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5,748 | 对比 | ||||||||||
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NTMFS5C673NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥3.444
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4,500 | 对比 | ||||||||||
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NTMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
￥3.468
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1,499 | 对比 | ||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||
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IRF7855TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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