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RS6L090BGTB1  与  SI7460DP-T1-E3  区别

型号 RS6L090BGTB1 SI7460DP-T1-E3
唯样编号 A-RS6L090BGTB1 A-SI7460DP-T1-E3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 60 V 0.0096 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@90A,10V 9.6mΩ
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 73W 1.9W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A 18A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 99 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥12.884
100+ :  ¥6.442
暂无价格
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1: ¥12.884
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100: ¥2.321
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1,500: ¥1.903
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