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RS6G120BGTB1  与  SI4122DY-T1-GE3  区别

型号 RS6G120BGTB1 SI4122DY-T1-GE3
唯样编号 A-RS6G120BGTB1 A36-SI4122DY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 120A 27.2A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 4.5 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 3W(Ta),6W(Tc)
Vgs(最大值) - ±25V
Vgs(th) - 2.5V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 18,055
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
840+ :  ¥8.3619
7+ :  ¥8.151
100+ :  ¥7.018
1,250+ :  ¥6.688
2,500+ :  ¥6.05
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥8.3619 

阶梯数 价格
840: ¥8.3619
0 当前型号
SIR422DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel

¥3.41 

阶梯数 价格
20: ¥3.41
100: ¥2.838
750: ¥2.618
1,500: ¥2.497
3,000: ¥2.31
29,589 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 4.8W(Ta),41.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40V 30A 10.5mΩ@15A,10V

¥3.619 

阶梯数 价格
20: ¥3.619
100: ¥3.025
750: ¥2.794
1,500: ¥2.662
3,000: ¥2.552
18,424 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 40V

¥8.151 

阶梯数 价格
7: ¥8.151
100: ¥7.018
1,250: ¥6.688
2,500: ¥6.05
18,055 对比
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 19A 9mΩ 3V

¥3.498 

阶梯数 价格
20: ¥3.498
100: ¥2.904
1,250: ¥2.651
2,500: ¥2.541
9,432 对比
SIR836DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

21A(Tc) N-Channel 19 mOhms @ 10A,10V 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 40V

¥3.388 

阶梯数 价格
20: ¥3.388
100: ¥2.717
750: ¥2.42
1,500: ¥2.288
1,869 对比

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