首页 > 商品目录 > > > > RS6G100BGTB1代替型号比较

RS6G100BGTB1  与  SIR426DP-T1-GE3  区别

型号 RS6G100BGTB1 SIR426DP-T1-GE3
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A36-SIR426DP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 10.5mΩ@15A,10V
零件号别名 - SIR426DP-GE3
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 4.8W(Ta),41.7W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 30A
系列 - SIR
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
长度 - 6.15 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1160pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
高度 - 1.04 mm
库存与单价
库存 100 16,642
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
20+ :  ¥3.641
100+ :  ¥3.036
750+ :  ¥2.805
1,500+ :  ¥2.673
3,000+ :  ¥2.552
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 当前型号
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥10.164 

阶梯数 价格
5: ¥10.164
100: ¥8.778
1,250: ¥8.349
2,500: ¥7.953
19,930 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,642 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,940 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售