RS3E135BNGZETB 与 RS3E095BNGZETB 区别
| 型号 | RS3E135BNGZETB | RS3E095BNGZETB | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RS3E135BNGZETB | A32-RS3E095BNGZETB-1 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 2W(Tc) | 2W(Tc) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | 9.5A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | 680pF @ 15V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 14.6mΩ@9.5A,10V | 14.6mΩ@9.5A,10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | 8.3nC @ 4.5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8976
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10,769 | 对比 | ||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.8617
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 87 | 对比 | ||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
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0 | 对比 | ||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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