RS3E135BNGZETB 与 IRF8707TRPBF 区别
| 型号 | RS3E135BNGZETB | IRF8707TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS3E135BNGZETB | A-IRF8707TRPBF |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.6mΩ@9.5A,10V | 11.9mΩ@11A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Tc) | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 连续漏极电流Id | 9.5A(Ta) | 11A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 760pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.3nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 15V | 760pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | 9.3nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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IRF8113TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 5.6mΩ@17.2A,10V N-Channel 30V 17.2A 8-SO |
暂无价格 | 9,840 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.3984
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E095BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥4.3984
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2,152 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4406A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 13A 3.1W 11.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥0.8235
|
0 | 对比 |
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