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RS1G300GNTB  与  IPC100N04S5L-2R6  区别

型号 RS1G300GNTB IPC100N04S5L-2R6
唯样编号 A-RS1G300GNTB A-IPC100N04S5L-2R6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@30A,10V 2.6mΩ
漏源极电压Vds 40V 40V
Moisture Level - 1 Ohms
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),35W(Tc) -
QG (typical) - 41.0nC
栅极电压Vgs ±20V 1.2V,2V
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerTDFN -
连续漏极电流Id 30A(Ta) 100A
工作温度 150°C(TJ) -
Ptot max - 75.0W
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4230pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.8nC @ 10V -
QG max - 55.0nC
Budgetary Price €€/1k - 0.39
RthJC max - 2.0K/W
库存与单价
库存 71 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥25.4278
100+ :  ¥13.8836
1,000+ :  ¥8.4967
2,500+ :  ¥5.2
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥25.4278 

阶梯数 价格
1: ¥25.4278
100: ¥13.8836
1,000: ¥8.4967
2,500: ¥5.2
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