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RS1E200GNTB  与  BSC050N03LSGATMA1  区别

型号 RS1E200GNTB BSC050N03LSGATMA1
唯样编号 A-RS1E200GNTB A-BSC050N03LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ -
上升时间 7.2ns -
Qg-栅极电荷 16.8nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 15V
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 18S -
封装/外壳 HSOP-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 20A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 8.4ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W -
典型关闭延迟时间 34.7ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 13.2ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

20A 3W 4.6mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 当前型号
IRFHM830TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.7W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.8mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
BSC042N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042N03LSGATMA1_30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.2W(Ta),136W(Tc) +20V,-16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 22A(Ta),145A(Tc)

暂无价格 0 对比
BSC883N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC883N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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