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RRH090P03GZETB  与  IRF9388PBF  区别

型号 RRH090P03GZETB IRF9388PBF
唯样编号 A-RRH090P03GZETB A-IRF9388PBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 650mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 15.4mOhms@9A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1680pF @ 25V
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 9A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.5 毫欧 @ 12A,20V
Vgs(最大值) ±20V ±25V
栅极电荷Qg 56nC@10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 12A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V,20V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RRH090P03GZETB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

9A(Ta) P-Channel 2.5V@1mA 650mW(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 30V

暂无价格 0 当前型号
TPC8125,LQ(S Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 1W(Ta) 8-SOP 150°C(TJ) 30 V 10A(Ta)

¥2.9418 

阶梯数 价格
60: ¥2.9418
100: ¥2.3765
500: ¥1.9932
859 对比
IRF9328TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF9388PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 2W(Ta) 16mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 11A

暂无价格 0 对比
IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.5mΩ@11A,10V P-Channel 30V 11A 8-SO

暂无价格 0 对比

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