RRF015P03TL 与 RRF015P03GTL 区别
| 型号 | RRF015P03TL | RRF015P03GTL | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RRF015P03TL | A-RRF015P03GTL | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | RRF015P03 Series -30 V -1.5 A 160 mOhm Surface Mount Power MOSFET - TUMT-3 | MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 320mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 160mΩ@1.5A,10V | - | ||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 320mW(Ta) | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 230pF @ 10V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P 通道 | ||||||||
| 封装/外壳 | TUMT | TUMT3 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A | - | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 230pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.4nC @ 10V | - | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 160 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 1.5A(Ta) | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 6.4nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 98 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RRF015P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 320mW(Ta) 160mΩ@1.5A,10V 150°C(TJ) TUMT P-Channel 30V 1.5A |
￥3.7625
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98 | 当前型号 | ||||||||||
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RRF015P03GTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TUMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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