RQ6E030ATTCR 与 DMP3105LVT-7 区别
| 型号 | RQ6E030ATTCR | DMP3105LVT-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RQ6E030ATTCR | A36-DMP3105LVT-7 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 105 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 91mΩ@-3A,-10V | 75mΩ@4.2A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.15W(Ta) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 | TSOT-26 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 3A | 3.9A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 839pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19.8nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ6E030ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel -30V 91mΩ@-3A,-10V SC-74,SOT-457 1.25W ±20V -55°C~150°C 3A |
￥3.5444
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100 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A |
￥0.6878
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2,395 | 对比 | ||||||||||
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DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A |
￥0.6668
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649 | 对比 | ||||||||||
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DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.15W(Ta) 75mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 3.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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