RQ5E030AJTCL 与 RTR025N03TL 区别
| 型号 | RQ5E030AJTCL | RTR025N03TL | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ5E030AJTCL | A-RTR025N03TL | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 1.6 mm | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 75mΩ@3A,4.5V | 92mΩ@2.5A,4.5V | ||
| 上升时间 | - | 15 ns | ||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 12V | ||
| 封装/外壳 | SC-96 | TSMT | ||
| 连续漏极电流Id | 3A(Ta) | 2.5A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V | 2.5V,4.5V | ||
| 下降时间 | - | 10 ns | ||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 240pF @ 15V | - | ||
| 高度 | - | 0.85 mm | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Tc) | 1W(Ta) | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 25 ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 系列 | - | RTR | ||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 1.5V @ 1mA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 220pF @ 10V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 4.6nC @ 4.5V | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.1nC @ 4.5V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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RQ5E030AJTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3A(Ta) ±12V 1W(Tc) 75mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-96 |
¥0.9089
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0 | 当前型号 | ||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |