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RQ5C035BCTCL  与  DMG2305UX-7  区别

型号 RQ5C035BCTCL DMG2305UX-7
唯样编号 A-RQ5C035BCTCL A3-DMG2305UX-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 20 V 52 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 59mΩ@3.5A,4.5V 52mΩ@4.2A,4.5V
上升时间 - 13.7ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Tc) 1.4W
Qg-栅极电荷 - 10.2nC
栅极电压Vgs ±8V ±8V
典型关闭延迟时间 - 79.3ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SC-96 SOT-23
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) 5A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMG2305
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 808pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 - 34.7ns
典型接通延迟时间 - 10.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 45,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.4317
暂无价格
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6,000: ¥0.5323
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36,000 对比

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