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RQ3P045ATTB1  与  FDMC86139P  区别

型号 RQ3P045ATTB1 FDMC86139P
唯样编号 A-RQ3P045ATTB1 A3-FDMC86139P
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Pch -100V -14.5A Power MOSFET FDMC86139P Series 100 V 15 A 67 mOhm SMT P-Channel Power Trench Mosfet - MLP-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 67m Ohms@4.4A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 2.3W(Ta),40W(Tc)
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 HSMT8 8-MLP(3.3x3.3)
连续漏极电流Id - 4.4A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1335pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 2,755
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3P045ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 0 当前型号
FDMC86139P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.4A(Ta),15A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),40W(Tc) 67m Ohms@4.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN Power P-Channel 100V 4.4A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 2,755 对比
NTTFS115P10M5 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比
FDMC86139P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.4A(Ta),15A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),40W(Tc) 67m Ohms@4.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN Power P-Channel 100V 4.4A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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