RQ3E180AJTB 与 AON6576 区别
| 型号 | RQ3E180AJTB | AON6576 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RQ3E180AJTB | A36-AON6576 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5mΩ@18A,4.5V | 4.7mΩ@20A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),30W(Tc) | 26W | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | DFN 5x6 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 18A(Ta),30A(Tc) | 32A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 11mA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 4290pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 39nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 1,619 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55°C~150°C 8-PowerVDFN |
¥2.6442
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥1.551
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15,166 | 对比 | ||||||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
¥1.1182
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10,776 | 对比 | ||||||||||||||
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AON7538 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 24W 5.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥2.5128
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4,969 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
¥5.6345
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3,000 | 对比 | |||||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥0.8899
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1,619 | 对比 |