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RQ3E180AJTB  与  IRFH8324  区别

型号 RQ3E180AJTB IRFH8324
唯样编号 A-RQ3E180AJTB A-IRFH8324
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@18A,4.5V 6.3mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.6W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),30W(Tc) -
栅极电压Vgs ±12V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 3.5nC
封装/外壳 8-PowerVDFN PQFN 5 x 6 E/G
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 18A(Ta),30A(Tc) 18A
工作温度 -55℃~150℃ -
Ptot max - 54.0W
QG - 14.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 11mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4290pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 4.5V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.23
RthJC max - 2.3K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
460+ :  ¥5.7685
1,500+ :  ¥3.6573
3,000+ :  ¥2.6442
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