RQ3E120GNTB 与 AON7416 区别
| 型号 | RQ3E120GNTB | AON7416 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ3E120GNTB | A-AON7416 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ@12A,10V | 8.5mΩ@20A,10V | ||
| 上升时间 | 4.5ns | - | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 25W | ||
| Qg-栅极电荷 | 10nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||
| 典型关闭延迟时间 | 25.5ns | - | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 10S | - | ||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | DFN3*3 EP | ||
| 连续漏极电流Id | 12A | 14A(Ta),40A(Tc) | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 15V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 下降时间 | 3.4ns | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 9.6ns | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.7V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1900pF @ 15V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 32nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥0.9296
|
0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
AON6414A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.2051
|
502 | 对比 | ||||||||||||
|
NTTFS4928NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
AON7416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 14A(Ta),40A(Tc) ±12V 8.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DFN3*3 EP 25W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
|
NTTFS4928NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
