RQ3E120ATTB 与 AON7405 区别
| 型号 | RQ3E120ATTB | AON7405 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RQ3E120ATTB | A-AON7405 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 2W | 83W | ||
| 宽度 | 2.4mm | - | ||
| 上升时间 | 30ns | - | ||
| 漏源极电压Vds | 39V | -30V | ||
| Qg-栅极电荷 | 62nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V | ||
| 典型关闭延迟时间 | 140ns | - | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | HSMT | DFN 3.3x3.3 EP | ||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 12A | -50A | ||
| 系列 | RQ | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3200pF @ 15V | - | ||
| 长度 | 3mm | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 62nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 下降时间 | 95ns | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 20ns | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 8mΩ@-12A,-10V | 6.2mΩ@-20A,-10V | ||
| 高度 | 0.85mm | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥2.2786
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥3.648
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3,498 | 对比 | ||||||||||
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DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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AON7405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3.3x3.3 EP P-Channel -30V ±25V -50A 83W 6.2mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C |
￥5.856
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26 | 对比 | ||||||||||
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DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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AON7405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3.3x3.3 EP P-Channel -30V ±25V -50A 83W 6.2mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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