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RQ3E100MNTB1  与  AON7432  区别

型号 RQ3E100MNTB1 AON7432
唯样编号 A-RQ3E100MNTB1 A36-AON7432
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ -
上升时间 17ns -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) - 2.5V,10V
Qg-栅极电荷 9.9nC -
栅极电压Vgs 2.5V -
FET 类型 - N 通道
封装/外壳 HSMT-8 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 10A -
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 Single -
漏源电压(Vdss) - 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) - 10.5A(Ta),18A(Tc)
下降时间 6ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 813pF @ 15V
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) - 15 毫欧 @ 10.5A,10V
Vgs(最大值) - ±12V
通道数量 1Channel -
功率耗散(最大值) - 3.1W(Ta),20.8W(Tc)
典型接通延迟时间 7ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.254 

阶梯数 价格
40: ¥1.254
100: ¥0.968
1,250: ¥0.8063
2,500: ¥0.7337
3,577 对比
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DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8712
765 对比
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AON7432 AOS  数据手册 功率MOSFET

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IRFHM9391TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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