首页 > 商品目录 > > > > RQ3E100MNTB1代替型号比较

RQ3E100MNTB1  与  AON7408  区别

型号 RQ3E100MNTB1 AON7408
唯样编号 A-RQ3E100MNTB1 A36-AON7408
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ 20mΩ@10V
上升时间 17ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32mΩ
Qg-栅极电荷 9.9nC -
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs 2.5V 20V
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 10A 18A
配置 Single -
Ciss(pF) - 373
下降时间 6ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 15.8
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 11W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 7ns -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 7.1
库存与单价
库存 0 771
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.43
100+ :  ¥1.0956
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9856
1,250: ¥0.8217
2,500: ¥0.7469
3,725 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0956
771 对比
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ130N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON6204 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 24A 31W 12mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFH3707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售