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RQ3E100MNTB1  与  IRFH3707TRPBF  区别

型号 RQ3E100MNTB1 IRFH3707TRPBF
唯样编号 A-RQ3E100MNTB1 A-IRFH3707TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.8 W 5.4 nC SMT Hexfet Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ 12.4mΩ@12A,10V
上升时间 17ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.8W(Ta)
Qg-栅极电荷 9.9nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 8-PQFN(3x3)
连续漏极电流Id 10A 12A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 6ns -
典型接通延迟时间 7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9856
1,250: ¥0.8217
2,500: ¥0.7469
3,725 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.43 

阶梯数 价格
40: ¥1.43
100: ¥1.0956
771 对比
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ130N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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AON6204 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 24A 31W 12mΩ@10V

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IRFH3707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比

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