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RQ3E100MNTB1  与  DMS3014SFG-7  区别

型号 RQ3E100MNTB1 DMS3014SFG-7
唯样编号 A-RQ3E100MNTB1 A-DMS3014SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ -
上升时间 17ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1W(Ta)
Qg-栅极电荷 9.9nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13mΩ@10.4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4310 pF @ 15 V
栅极电压Vgs 2.5V ±12V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 45.7 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 10A 9.5A(Ta)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
下降时间 6ns -
典型接通延迟时间 7ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel

暂无价格 0 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0923
1,250: ¥0.9097
2,500: ¥0.8283
3,725 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
786 对比
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ130N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AON7432 AOS  数据手册 功率MOSFET

-55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±12V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 9.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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