RQ3E100GNTB 与 AON7430 区别
| 型号 | RQ3E100GNTB | AON7430 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RQ3E100GNTB | A-AON7430 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.7mΩ | 12mΩ@20A,10V | ||||||||
| 上升时间 | 4.3ns | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 23W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 7.9nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 2.5V | ±20V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 22.4ns | - | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 8S | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | DFN 3x3 EP | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 10A | 34A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 下降时间 | 3.1ns | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 8.4ns | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 100 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥4.1656
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100 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTTFS4929NTWG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON6204 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 24A 31W 12mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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