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RQ3E100GNTB  与  AON7414  区别

型号 RQ3E100GNTB AON7414
唯样编号 A-RQ3E100GNTB A-AON7414
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 70
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ 15mΩ@10V
上升时间 4.3ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 20mΩ
Qg-栅极电荷 7.9nC -
Qgd(nC) - 3.6
栅极电压Vgs 2.5V 20V
正向跨导 - 最小值 8S -
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 10A 20A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 595
下降时间 3.1ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9
Td(off)(ns) - 22 Ohms
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 15.5W
Qrr(nC) - 15
VGS(th) - 2.2
典型关闭延迟时间 22.4ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 8.4ns -
Coss(pF) - 98
Qg*(nC) - 6.8
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥4.1656
100+ :  ¥2.4077
1,500+ :  ¥1.5265
3,000+ :  ¥1.1036
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.1656 

阶梯数 价格
1: ¥4.1656
100: ¥2.4077
1,500: ¥1.5265
3,000: ¥1.1036
100 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9856
1,250: ¥0.8217
2,500: ¥0.7469
3,725 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

¥0.6611 

阶梯数 价格
80: ¥0.6611
982 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7414 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 20A 15.5W 15mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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