首页 > 商品目录 > > > > RQ3E080BNTB代替型号比较

RQ3E080BNTB  与  AON7408  区别

型号 RQ3E080BNTB AON7408
唯样编号 A-RQ3E080BNTB A36-AON7408
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.2mΩ@8A,10V 20mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 4.3
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 8A(Ta) 18A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 373
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 15.8
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 11W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 7.1
库存与单价
库存 2,745 771
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥4.7923
100+ :  ¥2.77
1,500+ :  ¥1.7562
3,000+ :  ¥1.2697
50+ :  ¥1.133
100+ :  ¥0.8712
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 8A(Ta) ±20V 2W(Ta) 15.2mΩ@8A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥4.7923 

阶梯数 价格
1: ¥4.7923
100: ¥2.77
1,500: ¥1.7562
3,000: ¥1.2697
2,745 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.254 

阶梯数 价格
40: ¥1.254
100: ¥0.968
1,250: ¥0.8063
2,500: ¥0.7337
3,725 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8712
771 对比
IRFH3707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7432 AOS  数据手册 功率MOSFET

-55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售