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RQ3C150BCTB  与  DMP26M7UFG-7  区别

型号 RQ3C150BCTB DMP26M7UFG-7
唯样编号 A-RQ3C150BCTB A3-DMP26M7UFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V 6.7mΩ@15A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 20W(Tc) 2.3W(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V -
栅极电压Vgs ±8V ±10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI
连续漏极电流Id 30A(Tc) 18A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5940pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 156nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA -
库存与单价
库存 91 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥7.3616
100+ :  ¥3.9311
3,000+ :  ¥2.8422
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3C150BCTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥7.3616 

阶梯数 价格
1: ¥7.3616
100: ¥3.9311
3,000: ¥2.8422
91 当前型号
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
100: ¥1.661
1,000: ¥1.397
1,985 对比
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