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RQ3C150BCTB  与  DMP2008UFG-13  区别

型号 RQ3C150BCTB DMP2008UFG-13
唯样编号 A-RQ3C150BCTB A-DMP2008UFG-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ@15A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 20W(Tc) 2.4W(Ta),41W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@12A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6909 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 72 nC @ 4.5 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 30A(Tc) 14A(Ta),54A(Tc)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 1.5V,4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA -
库存与单价
库存 91 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥7.3616
100+ :  ¥3.9311
3,000+ :  ¥2.8422
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥7.3616 

阶梯数 价格
1: ¥7.3616
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3,000: ¥2.8422
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