RHK005N03FRAT146 与 FDN357N 区别
| 型号 | RHK005N03FRAT146 | FDN357N | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RHK005N03FRAT146 | A36-FDN357N | ||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@500mA,10V | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 200mW(Ta) | 500mW(Ta) | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SuperSOT | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 500mA(Ta) | 1.9A | ||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 100 | 2,828 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RHK005N03FRAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
500mA(Ta) N-Channel ±20V 550mΩ@500mA,10V 200mW(Ta) SOT-23-3 150°C(TJ) 30V 车规 |
￥2.4353
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100 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A |
￥0.5343
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32,298 | 对比 | ||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.177
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2,828 | 对比 | |||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMN3730U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 450mW(Ta) 460mΩ@200mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 0.94A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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