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RH6R025BHTB1  与  BSZ900N15NS3GATMA1  区别

型号 RH6R025BHTB1 BSZ900N15NS3GATMA1
唯样编号 A-RH6R025BHTB1 A-BSZ900N15NS3GATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 38W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@25A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 59W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 75V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 HSMT8 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 20uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 90 毫欧 @ 10A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 8V,10V
漏源电压(Vdss) - 150V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥10.0366
100+ :  ¥5.0183
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A

¥10.0366 

阶梯数 价格
1: ¥10.0366
100: ¥5.0183
100 当前型号
BSZ520N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ520N15NS3GATMA1_-55°C~150°C(TJ) 150V 21A 42mΩ 20V 57W N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ900N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ900N15NS3GATMA1_-55°C~150°C(TJ) 150V 13A 74mΩ 20V 38W N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ900N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SI7818DN-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.2A(Ta) N-Channel 135 mOhms @ 3.4A,10V 1.5W PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 150V

暂无价格 0 对比
SISA88DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

16.2A(Ta),40.5A(Tc) N-Channel 6.7 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 对比

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