RH6L040BGTB1 与 NTTFS5820NLTAG 区别
| 型号 | RH6L040BGTB1 | NTTFS5820NLTAG | ||||||||
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| 唯样编号 | A-RH6L040BGTB1 | A32-NTTFS5820NLTAG | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | 8-WDFN(3.3x3.3) | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 65A | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.1mΩ@40A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 25 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥4.3403
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0 | 当前型号 | ||||||||
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BSZ100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
￥1.661
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3,000 | 对比 | ||||||||
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NTTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
￥14.84
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1,500 | 对比 | ||||||||
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SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.8A(Ta),52A(Tc) N-Channel 7,2 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) -55°C~150°C 60V SOT1210 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||
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NTTFS5820NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
￥8.48
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25 | 对比 |
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