首页 > 商品目录 > > > > RH6L040BGTB1代替型号比较

RH6L040BGTB1  与  SIS862DN-T1-GE3  区别

型号 RH6L040BGTB1 SIS862DN-T1-GE3
唯样编号 A-RH6L040BGTB1 A-SIS862DN-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET 60V, 40A, 0.0085 Ohms, PowerPAK 1212-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 PowerPAK® 1212-8
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 65A 40A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.1mΩ@40A,10V 8.5mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 59W 3.7W(Ta),52W(Tc)
Vgs(th) - 2.6V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
840+ :  ¥4.3403
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6L040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A

¥4.3403 

阶梯数 价格
840: ¥4.3403
0 当前型号
BSZ100N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ100N06LS3GATMA1_60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SIS862DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 60V

暂无价格 20 对比
NVTFS5826NLTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

车规

暂无价格 0 对比
NVTFS5820NLWFTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比
SIS862ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

15.8A(Ta),52A(Tc) N-Channel 7,2 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55℃~150℃ 60V

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售