首页 > 商品目录 > > > > RH6G040BGTB1代替型号比较

RH6G040BGTB1  与  RH6G040BGTB1  区别

型号 RH6G040BGTB1 RH6G040BGTB1
唯样编号 A-RH6G040BGTB1 A32-RH6G040BGTB1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 HSMT8
连续漏极电流Id 95A 95A
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V 3.6mΩ@40A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 59W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税)
1,000+ :  ¥4.5827
1+ :  ¥6.4895
25+ :  ¥6.0088
100+ :  ¥5.5637
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥4.5827 

阶梯数 价格
1,000: ¥4.5827
0 当前型号
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
5,000 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 100 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥6.4895 

阶梯数 价格
1: ¥6.4895
25: ¥6.0088
100: ¥5.5637
100 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥4.5827 

阶梯数 价格
1,000: ¥4.5827
0 当前型号
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售