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RH6G040BGTB1  与  BSZ097N04LSGATMA1  区别

型号 RH6G040BGTB1 BSZ097N04LSGATMA1
唯样编号 A-RH6G040BGTB1 A-BSZ097N04LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 59W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 HSMT8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 95A -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 14uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.7 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 12A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
1,000+ :  ¥4.5827
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 95A 40V HSMT8 59W ±20V 3.6mΩ@40A,10V -55℃~150℃

¥4.5827 

阶梯数 价格
1,000: ¥4.5827
0 当前型号
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_-55°C~150°C(TJ) 40V 40A 14.2mΩ 10V 35W N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ034N04LS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ034N04LSATMA1_40V 40A 2.7mΩ 20V 52W N-Channel -55°C~150°C

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BSZ063N04LS6 Infineon 功率MOSFET

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BSZ097N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比

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