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RFUH10NS6STL  与  IDB30E60ATMA1  区别

型号 RFUH10NS6STL IDB30E60ATMA1
唯样编号 A-RFUH10NS6STL A-IDB30E60ATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 快恢复/超快恢复二极管 开关二极管
描述 DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向电压Vr 600V -
不同If时电压-正向(Vf) - 2V @ 30A
反向恢复时间trr 25ns -
电流-平均整流(Io) - 52.3A(DC)
封装/外壳 TO-263S TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
反向漏电流Ir 10uA -
工作温度 -55℃~150℃ -
系列 RFUH10NS6 -
反向峰值电压Vrrm 600V -
正向电压Vf 2.8V -
正向电流If 10A -
不同Vr时电流-反向泄漏 - 50uA @ 600V
二极管类型 - 标准
速度 - 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
正向浪涌电流Ifsm 60A -
工作温度-结 - -40°C ~ 175°C
反向恢复时间(trr) - 126ns
电压-DC反向(Vr)(最大值) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
220+ :  ¥5.6254
1,000+ :  ¥3.5665
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RFUH10NS6STL ROHM Semiconductor  数据手册 快恢复/超快恢复二极管

TO-263S 60A 600V 600V 10A 2.8V 10uA 25ns -55℃~150℃

¥5.6254 

阶梯数 价格
220: ¥5.6254
1,000: ¥3.5665
0 当前型号
RFUH10NS6SFHTL ROHM Semiconductor  数据手册 快恢复/超快恢复二极管

TO-263S 60A 600V 600V 10A 2.8V 10uA 25ns -55℃~150℃ 车规

¥7.0144 

阶梯数 价格
30: ¥7.0144
50: ¥5.3183
100: ¥4.7433
300: ¥4.3696
500: ¥4.293
500 对比
RFUH10NS6SFHTL ROHM Semiconductor  数据手册 快恢复/超快恢复二极管

TO-263S 60A 600V 600V 10A 2.8V 10uA 25ns -55℃~150℃ 车规

暂无价格 100 对比
VS-ETH1506-1-M3 Vishay  数据手册 整流二极管

600V 2.45V 15uA TO-262 29ns -65℃~175℃ 15A

暂无价格 0 对比
IDB15E60ATMA1 Infineon  数据手册 开关二极管

IDB15E60_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IDB30E60ATMA1 Infineon  数据手册 开关二极管

IDB30E60_TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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