RF4E110GNTR 与 PMPB20EN,115 区别
| 型号 | RF4E110GNTR | PMPB20EN,115 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RF4E110GNTR | A36-PMPB20EN,115-1 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11.3mΩ@11A,10V | - | ||||||||||||
| 上升时间 | 5.5ns | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.7W | ||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 7.4nC | - | ||||||||||||
| 输出电容 | - | 90pF | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V,1.5V | ||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 21ns | - | ||||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 6S | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | SOT1220 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11A | 10.4A | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C | ||||||||||||
| 系列 | RF4E110GN | - | ||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||
| 输入电容 | - | 435pF | ||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 19.5mΩ@10V,24.5mΩ@4.5V | ||||||||||||
| 下降时间 | 3ns | - | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9ns | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 88 | 946 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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;;6.jpg)
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RF4E110GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 2W 11.3mΩ@11A,10V 30V ±20V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.5573
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88 | 当前型号 | ||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 2 | 对比 | ||||||||||
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
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74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMPB20EN,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 20V,1.5V 30V 10.4A |
￥0.7689
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946 | 对比 | ||||||||||
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PMPB07R3ENX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN2020M-6 N-Channel -55°C~150°C ±20V 30V 8.6mΩ@12A,10V 12.5W(Tc) 12A |
暂无价格 | 420 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
