RE1E002SPTCL 与 RSE002P03TL 区别
| 型号 | RE1E002SPTCL | RSE002P03TL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RE1E002SPTCL | A33-RSE002P03TL-0 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | RSE002P03 Series P-Channel 30 V 1.4 Ohm 150 mW Surface Mount Mosfet - EMT-3 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | EMTF | EMT | ||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.25A | 0.2A | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4Ω@250mA,10V | 1.4Ω@200mA,10V | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 30pF @ 10V | 30pF @ 10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW(Ta) | 150mW(Ta) | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4V,10V | 4V,10V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,734 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RE1E002SPTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 150mW(Ta) 1.4Ω@250mA,10V 150°C(TJ) EMTF P-Channel 30V 0.25A |
￥0.3776
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RSE002P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 150mW(Ta) 1.4Ω@200mA,10V 150°C(TJ) EMT P-Channel 30V 0.2A |
￥2.7502
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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RSE002P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 150mW(Ta) 1.4Ω@200mA,10V 150°C(TJ) EMT P-Channel 30V 0.2A |
￥2.7502
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2,734 | 对比 |
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