RD3L150SNFRATL 与 RSD150N06TL 区别
| 型号 | RD3L150SNFRATL | RSD150N06TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RD3L150SNFRATL | A-RSD150N06TL |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@15A,10V | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W | - |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 930pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 |
| 连续漏极电流Id | 15A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 40 毫欧 @ 15A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 15A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 18nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RD3L150SNFRATL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 60V 15A 40mΩ@15A,10V ±20V 20W -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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439 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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