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R8009KNXC7G  与  R8010ANX  区别

型号 R8009KNXC7G R8010ANX
唯样编号 A-R8009KNXC7G A3-R8010ANX
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 High-speed Switching Nch 800V 9A Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 59W(Tc) -
宽度 - 10.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 560mΩ
上升时间 - 54ns
Qg-栅极电荷 - 62nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 900 pF @ 100 V -
栅极电压Vgs - 3V
正向跨导 - 最小值 - 2.2S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
配置 - Single
长度 - 15.4mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 600 毫欧 @ 4.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 25ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1750pF @ 25V
高度 - 4.8mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 40W
典型关闭延迟时间 - 97ns
FET类型 N-Channel -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 5mA -
系列 - R8010ANX
通道数量 - 1Channel
25°C时电流-连续漏极(Id) 9A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 800 V -
典型接通延迟时间 - 43ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
库存与单价
库存 0 165
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8009KNXC7G ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel TO-220-3 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 600 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V

暂无价格 165 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V

¥58.0502 

阶梯数 价格
3: ¥58.0502
5: ¥32.8102
10: ¥27.1374
30: ¥23.3619
50: ¥22.6049
100: ¥22.0396
125 对比
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥39.7313 

阶梯数 价格
1: ¥39.7313
100: ¥22.9647
500: ¥14.5596
100 对比
R8010ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TO-220-3 10A 40W 560mΩ 800V 3V

暂无价格 100 对比

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