首页 > 商品目录 > > > > R8008ANX代替型号比较

R8008ANX  与  IPA80R1K0CEXKSA2  区别

型号 R8008ANX IPA80R1K0CEXKSA2
唯样编号 A-R8008ANX A-IPA80R1K0CEXKSA2
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 32W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.03Ω@4A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 50W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 785pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 8A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 950 毫欧 @ 3.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥39.7313
100+ :  ¥22.9647
500+ :  ¥14.5596
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥39.7313 

阶梯数 价格
1: ¥39.7313
100: ¥22.9647
500: ¥14.5596
100 当前型号
AOTF10N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比
AOTF7T60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA80R1K0CE_TO-220-3整包

暂无价格 0 对比
STF7NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 0 对比
AOTF10N65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售