R8006KNXC7G 与 FCPF850N80Z 区别
| 型号 | R8006KNXC7G | FCPF850N80Z | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R8006KNXC7G | A3-FCPF850N80Z | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 52W(Tc) | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 850mΩ@3A,10V | ||||
| 上升时间 | - | 10 ns | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 650 pF @ 100 V | - | ||||
| Pd - 功率消耗 | - | 28.4 W | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| 封装/外壳 | TO-220FM | TO-220-3 | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22 nC @ 10 V | - | ||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 6A(Tc) | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| Ciss - 输入电容 | - | 990 pF | ||||
| 标准断开延迟时间 | - | 40 ns | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 900 毫欧 @ 3A,10V | - | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||
| 最低工作温度 | - | - 55 C | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||||
| 最高工作温度 | - | + 150 C | ||||
| Qg - 闸极充电 | - | 22 nC | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 下降时间 | - | 4.5 ns | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 600µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1315pF @ 100V | ||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 28.4W(Tc) | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 4mA | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 6A(Ta) | - | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 800 V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 50 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8006KNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150°C(TJ) TO-220FM |
￥31.3804
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50 | 当前型号 | ||||||
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STF9N80K5 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IPA80R900P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 6A(Tc) ±20V 26W(Tc) 900mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FCPF850N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6 A Tube N-Channel 850 m0hms 800 V 20V 4.5 V 800V 6A(Tc) ±20V 28.4W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FCPF850N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
6 A Tube N-Channel 850 m0hms 800 V 20V 4.5 V 800V 6A(Tc) ±20V 28.4W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STF8N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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