| 型号 | R8005ANX | AOTF4N60 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-R8005ANX | A36-AOTF4N60 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 4.4 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.08Ω@2.5A,10V | 2200mΩ@10V | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 7.6 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | 30V | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 20.2 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220F | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5A(Tc) | 4A | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 511 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 485pF @ 25V | - | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 212 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 36 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 800V | 600V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | 35W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 1600 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 4.5 | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC @ 10V | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 51 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 15 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 100 | 3,683 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R8005ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 5A(Tc) ±30V 40W(Tc) 2.08Ω@2.5A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
￥21.4746
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100 | 当前型号 | ||||||||
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STF4N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 17,000 | 对比 | ||||||||
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AOTF4N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 4A 35W 2200mΩ@10V |
￥0.9126
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3,683 | 对比 | ||||||||
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|
AOTF4N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 4A 35W 2200mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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|
STF4N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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