R8002ANX 与 IRFBE20PBF 区别
| 型号 | R8002ANX | IRFBE20PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-R8002ANX | A36-IRFBE20PBF | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 800 V 6.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3Ω@1A,10V | 6.5 Ohms @ 1.1A,10V | ||||
| 上升时间 | 20ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 35W | 54W(Tc) | ||||
| Qg-栅极电荷 | 12.7nC | - | ||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||
| 栅极电压Vgs | 30V | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 33ns | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 2A | 1.8A(Tc) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 系列 | R8002ANX | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||
| 下降时间 | 70ns | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 17ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 30 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
|
||||
| 购买数量 | ||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥6.6119
|
0 | 当前型号 | ||||
|
IRFBE20PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) N-Channel 6.5 Ohms @ 1.1A,10V 54W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 800V |
￥5.027
|
30 | 对比 | ||||
|
|
IRFBE20PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) N-Channel 6.5 Ohms @ 1.1A,10V 54W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 800V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
