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R8002ANJGTL  与  R8002ANJFRGTL  区别

型号 R8002ANJGTL R8002ANJFRGTL
唯样编号 A-R8002ANJGTL A-R8002ANJFRGTL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-263S-3
连续漏极电流Id - 2A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1 Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3Ω
配置 - Single
漏源极电压Vds - 800V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 62W
Qg-栅极电荷 - 13 nC
栅极电压Vgs - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R8002ANJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
R8002ANJFRGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 800V 2A 4.3Ω 30V 62W -55°C~150°C 车规

暂无价格 100 对比
R8002ANJFRGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263S-3 800V 2A 4.3Ω 30V 62W -55°C~150°C 车规

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