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R6086YNZ4C13  与  IPW50R399CP  区别

型号 R6086YNZ4C13 IPW50R399CP
唯样编号 A-R6086YNZ4C13 A-IPW50R399CP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 600V 86A, TO-247, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 399mΩ
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247 -
连续漏极电流Id - 9A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 16.13mm
下降时间 - 14ns
典型接通延迟时间 - 35ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
1: ¥13.732
10 对比

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