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R6055VNZ4C13  与  STW48N60DM2  区别

型号 R6055VNZ4C13 STW48N60DM2
唯样编号 A-R6055VNZ4C13 A36-STW48N60DM2
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 55A TO-247, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.059Ω@15V 79mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 543W 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 55A 40A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3250pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
库存与单价
库存 0 7,035
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
3+ :  ¥18.084
10+ :  ¥15.587
600+ :  ¥14.85
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3: ¥18.084
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600: ¥14.85
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