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R6055VNZ4C13  与  IPW60R070CFD7  区别

型号 R6055VNZ4C13 IPW60R070CFD7
唯样编号 A-R6055VNZ4C13 A-IPW60R070CFD7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 55A TO-247, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.059Ω@15V 70mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 543W -
Ciss - 2721.0pF
Rth - 0.8 K/W
Coss - 53.0pF
栅极电压Vgs ±30V 3.5V,4.5V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 24.0nC
Pin Count - 3.0 Pins
封装/外壳 TO-247 TO-247
Mounting - THT
连续漏极电流Id 55A 31A
工作温度 - -55°C~150°C
Ptot max - 156.0W
QG - 67.0nC
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6055VNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel ±30V 600V 55A 0.059Ω@15V 543W

暂无价格 0 当前型号
IPW60R060P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R060P7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R070CFD7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STW48N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 40A(Tc) ±25V 300W(Tc) 79mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

¥15.9687 

阶梯数 价格
4: ¥15.9687
10: ¥13.7709
600: ¥13.365
6,997 对比
IPW60R070CFD7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R070CFD7XKSA1_70mΩ 600V 31A TO-247 N-Channel -55°C~150°C 3.5V,4.5V

暂无价格 240 对比
STW65N60DM6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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